Долговечная память от Samsung

19.07.2011

Компания Samsung сообщила о значительном прорыве в разработке памяти RRAM (резистивной памяти случайного доступа). Разработчики компании смогли значительно усовершенствовать ее долговечность, сделав переключение опытных образцов RRAM между циклами записи и удаления триллионы раз. Достигнутый в эксперименте результат, стал во много раз более устойчив к повреждениям при перезаписи данных, чем у существующей сегодня флэш-памяти.
Развиваемая компанией Samsung технология RRAM, применяет строение, которое основано на тантале, а не на кремнии. Помимо высокого результата в количестве возможных циклов перезаписи, инновационные чипы соответствуют ключевым запросам к флэш-памяти по нормативам плотности, скорости изменения состояния ячеек и энергопотреблению.
Проведенная корейцами работа с RRAM, опубликована в последнем номере научного журнала NatureMaterials. Однако информации о внедрении технологии на мировой рынок пока нет.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.

© 2010-2017 Новости техники.
Использование материалов без указания активной ссылки на источник запрещено.
Все права принадлежат порталу "Техническая планета"