Samsung представила SSD на основе 3D V-NAND

Компания Micron недавно заявила о том, что до 2015 года флэш-память типа 3D NAND не получит значительного распространения. Однако компания Samsung продемонстрировала первые в мире SSD выполненные из объёмных микросхем NAND-флэш. На мероприятии Flash Memory Summit 2013, которое завершиться уже завтра, представители компании Samsung официально анонсировали новую линейку твердотельных накопителей на основе микросхем 3D V-NAND для корпоративного использования.

Кстати, из пресс-релиза, стало известно, что микросхемы памяти 3D V-NAND включают в себя двухбитовые ячейки. Во всяком случае, так можно судить по аббревиатуре MLC, которая закрепилась за памятью, позволяющей хранить два заряда на каждой элементарной управляемой области. Однако не понятно, по какому технологическому процессу создана данная память. Ведь если каждая ячейка вмещает два бита данных, 3D V-NAND может быть выпущена на техпроцессе более старом, чем 45 нм. К сожалению Samsung, не спешит раскрывать данные подробности.

Также не понятно как у новинок обстоят дела со скоростью чтения/записи. Как всегда, спешили успеть к мероприятию, но успели не все. Сообщается лишь, что оба SSD 3D V-NAND — 480-Гб и 960-Гб — на 20% быстрее, чем аналоги на основе 10-нм памяти по скорости записи случайных блоков и последовательной записи. При этом максимальное число циклов стирания ячейки составляет 35000. Напомним, у обычной NAND-флэш MLC памяти выполненной по 50-40 нм число допустимых циклов стирания составляет примерно 10000. Это если не применять разные хитрые алгоритмы для исправления ошибок. И данный факт вновь поднимает вопрос, применяя какой техпроцесс выпускается память 3D V-NAND.

Для подключения к компьютеру или серверу (аренда сервера в европе, подробнее) используется интерфейс SATA 6 Гбит/с, формфактор их — 2,5 дюйма, а толщина 7 мм. Ни точной даты старта продаж, ни цены названо не было.