В следующем году Samsung выпустит SSD-диск для ноутбуков объемом 4 Тбайт

Серия SSD-дисков Samsung 850 в следующем году пополнится моделью емкостью 4 Тбайт. Для достижения столь высокой емкости, Samsung будет использовать свои новые NAND-чипы.

В августе компания Samsung представила во время специальной конференции свою память V-NAND 3-го поколения. В новой версии увеличились текущие 32 слоя до 48 слоев NAND-памяти. И как раз в начале 2016 года наступит время, когда Samsung начнет использовать 3 поколение 3D V-NAND памяти. Поэтому 2,5-дюймовые 850 Pro и 850 EVO с интерфейсом SATA III станут первыми SSD-дисками, которые получат новую память и соответственно больший объем. Отметим, что на данный момент максимальный объем 2 Тбайт. 

В форм-факторе M.2. SSD с новой памятью станут меньше, и их максимальный объем вырастет с 512 Гбайт до одного 1 Тбайт. Диски вроде PM863 и SM863 также получат новую NAND. Samsung также изменило название новых NAND-чипов с 3D V-NAND на просто V-NAND.

Источник: Guru3D